NAND会出错 SSD纠错能力

            来源:goldendisk 浏览:1391 发表时间:2021-01-22

            我们知道,纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在主流的是TLC。在存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说, NAND flash更容易出错了,或者说NAND上的噪声增加了。

            RBER( Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性,如图9-26所示。 微信图片_20210122173323.jpg

            图926曲线从右到左依次是BCH、LDPC硬判决算法、LDPC软判决算法,纵轴表示纠错失败的概率,横轴表示RBER

             可以看到,LDPC软判决算法由于有更多的信道信息,相对于BCH和LDPC硬判决算法更有优势。


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